728x90
반응형
| 분류 | 설명 |
| 에너지 준위 (Energy Level) |
|
| 페르미준위 (Fermi Level) |
|
|
에너지 밴드 |
|
| 가전자대 (Valence Band) |
|
| 전도대 (Conduction Band) |
|
| 에너지 밴드 갭 (Energy Band Gap) |
|
| Hole | |
| MOSFET | |
| 게이트(Gate), 소스(Source), 드레인(Drain) | |
| CMOS (NMOS, PMOS) | |
| 차단영역 (Cut-off region) | |
| 핀치오프 영역 (Pinch-off region) |
|
| 포화영역 (Saturation Region) |
|
| 선형영역 (Linear Region) |
|
| 문턱전압 (Threshold Voltage) |
|
| 축적 (Accumulation) | |
|
공핍 (Depletion) |
|
| 반전 (Inversion) | |
| 증가형 (Enhancement) |
|
| 평형상태 (Equilibrium State) |
|
| 일함수 (Work Function) | |
| 기판효과 (Body Effect) | |
| 단채널 효과 (Short Channel Effect) | |
| 문턱전압 이하 누설전류(Sub-Threshold Current) | |
| 문턱전압 제어방법 | |
| Vth Roll-off | |
| DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) | |
| 펀치스루 (Punch Through) | |
| 핫 캐리어 효과 (Hot Carrier Injection Effect) | |
| HCl (LDD) | |
| Halo Implant | |
| Avanlanch Breakdown | |
| Substrate Current | |
| Mobility | |
| Channel Width | |
| Strained - Si | |
| Si-Ge Channel | |
| 인장응력 (Tensile Stress) | |
| 압축응력 (Compressive Stress) | |
| HKMG (High - k Metal Gate) | |
| MIMCAP | |
| Leakage Current | |
| Gate Dielectric | |
| Poly Si Gate | |
| FinFET | |
| Planer 트랜지스터 | |
| 3D 트랜지스터 | |
| GAA | |
| MBCFET | |
| EUV | |
| FDSOI | |
| PMIC | |
| CIS | |
| FOD | |
| DDI | |
| STB | |
| LPE | |
| LPP | |
| GAE | |
| LPC | |
| LPU | |
| GAP | |
| FDS | |
| Solder reflow | |
| FOF | |
| OSI | |
| EV | |
| TSV | |
| RSV | |
| CoW | |
| WoW | |
| D2W | |
| ECC | |
반응형
'반도체공학' 카테고리의 다른 글
| Frame Buffer (프레임 버퍼) (1) | 2023.11.19 |
|---|---|
| AWORD(Address Buffer) / DWORD(Data Buffer) (2) | 2023.11.19 |
| Dielectric (유전체) _ plasmon (0) | 2019.06.09 |
| Random Access Memory(RAM) : 램, SSD, 차세대 메모리 (0) | 2019.03.18 |
| 캐리어 확산 (diffusion) (0) | 2018.04.15 |
