트랜지스터의
소형화 + 저전력
+ 고집적화 + 높은 반응속도
= 반도체 소자
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쿨롱의 법칙(Coulomb's law), 전기장(electric field), 키르히호프 법칙(kirchhoff's law (KVL, KCL) ), 3D Schrödinger equation _ 수소 ( hydrogen ) : 전기 현상의 발견 및 정립, 장의 개념 정의, 양자역학 정립 |
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: 전하와 양자역학으로 소재에 관한 개념 정립 |
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Nearly free electron model_밴드갭(band gap), 페르미 분포(Fermi-Dirac Distribution) : 전기 전도 현상의 이론 정립, band 이론 정립 |
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: 가상의 입자 정공의 정의로 반도체 물질의 제어가능 |
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도핑 ( doping )_ 진성반도체 ( intrinsic semiconductor ) : 반도체 물질 제어(정공 이나 전자로 이루어진 물질 제작 및 제어가능) |
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: 외부의 전류나 빛, 전압에 의한 상호작용 가능성 시사 |
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p-n접합_ depletion region( 공핍영역 ) : 주요 캐리어가 정공인 물질과 전자인 물질의 접합→비선형 특성 발견 |
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문턱전압 ( threshold voltage ), recombination ( 재결합 ), 박막(thin film)_surface energy,surface tention : p-n접합 응용 이론 및 소자제작 |
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: p-n junction을 조합해 트랜지스터 제작 |
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the finite square well_tunneling : 양자 터널링 현상 발견 및 정립 |
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: 저장가능한 전자소자 제작 |
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Physical Vapor Deposition(PVD)_plasma, sputtering, evaporation Chemical Vapor Deposition(CVD) Epitaxy ( epitaxial growth, 에피택셜 성장 ) : 소형 소자를 제작가능하게 해주는 장비 |