Review 썸네일형 리스트형 MRAM (Magnetoresistive random-access memory) MRAM은 MEMORY소자를 Spintronics를 기반으로 만든것입니다. 아직 개발중인 MRAM은 상용화가 되기위해 속도, 저전력, 신뢰도를 달성하기 위한 많은 물리학적, 전자공학적 요소를 발전시키고 있으며, 가장 지배적인 원리 4가지와 상용화를 위해 극복해야할 사항 4개를 소개하겠습니다. (링크를 타고 들어가면 관련된 더 자세한 설명을 볼 수 있습니다.) 추가로 지금까지 발전해 온 MRAM과 차세대 MRAM, 장단점과 극복방안에대해 설명하겠습니다. # 4가지 지배적 원리 (1) Layer Structure VS Varying M layer structure는 물질 내부에 magneticzation의 변화가 없는 것으로 단지 domain wall만 존재할때를 지칭합니다. 반면 varing M은 magn.. 더보기 이전 1 2 3 다음
