차세대 메모리 : ACiM CXL Capacitorless DRAM

메모리 반도체 산업에 또다시 다음 세대를 위한 선택의 시간이 다가왔습니다.

예전 도시바, 모토로라처럼 잘못된 선택이 기업의 명운을 좌우한 것처럼 반도체 제조 업계에도 도태되지 않기 위해 신중한 기술을 선택해야 합니다. 현재 연구되는 차세대 메모리는 정말 많지만, 실제 양산을 목적으로 개발을 선택하는 순간 돌이킬 수 없기에 정말 신중한 선택을 해야 합니다.

 

쉽게는 삼성에서 선보였던, Process in memory(PIM), eMRAM 메모리부터 요즘 유행하는 CXL, 하이닉스에서 독점한 HBM의 다음 버전인 Custom HBM, 모든 기업이 갈팡질팡하는 Anolog Computing in Memory(ACiM)까지 등장한 상황입니다.

더 디테일하게 DRAM에 Capacitor를 없앤 Capacitorless DRAM, DRAM을 대체하겠다는 Micron의 FeRAM, VCT(Vertical Channel Transistor)로 표상되는 3D Gate, Bayesian 확률 알고리즘을 위한 p-bit까지 많은 기술이 흘러넘칩니다.

 

본 블로그에서는 해당 메모리들을 짤막하게 다루기 때문에 아래 링크를 눌러 확인하기 바랍니다.

 

VCT (Vertical Channel Transistor, 3D DRAM), ACiM (Analog Computing in Memory), CXL (Compute Express Link)

HBM (High Bandwidth Memory), 뉴로모픽 컴퓨팅 (Neuromorphic Computing) _ 인공지능